IBM представила "процессор будущего" с 7-нанометровыми транзисторами

IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 7 нанометров. Технология позволит размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических кораблей.

IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 7 нанометров. Хотя в продажу подобные чипы поступят не раньше, чем через пару лет, достижение корпорации и ее партнеров является важнейшим прорывом сразу по нескольким причинам. Технология позволит размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических кораблей.

Напомним, в настоящее время самые прогрессивные из доступных на рынке микропроцессоров производятся по 14-нанометровому техпроцессу. Samsung объявила, что разработала технологию производства чипов с 10-нанометровыми транзисторами, однако до начала производства пройдет еще немало времени. Роадмап Intel в настоящее время подразумевает выпуск 10-нанометровых чипов лишь в 2017-м году.

Технологии для производства 7-нанометровых процессоров пришлось собирать буквально с миру по нитке. IBM заручилась поддержкой GlobalFoundries, Samsung, STMicroelectronics а также ряда поставщиков специализированного оборудования. Впервые каналы транзисторов используют не чистый кремний, а комбинацию кремния и германия. Кроме того, впервые продемонстрирована потенциально коммерциализируемая технология производства процессоров с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV).

Разумеется, как и во многих других новых процессорах, использовано вертикальное размещение затвора транзистора (FinFET), позволяющее разместить на чипе той же площади существенно больше транзисторов. Подобную технологию, например, используют новейшие модели процессоров Exynos во флагманских смартфонах Samsung. Чип A9, на котором будут работать iPhone следующего поколения, тоже использует FinFET-транзисторы, правда, чуть более крупные - 16-нанометровые.

По утверждению представителей IBM, инженерам корпорации удалось достичь увеличения плотности размещения элементов по отношению к самому передовому сегодня 10-нм технологическому процессу почти на 50%. Шаг между элементами на таком чипе составляет всего 430 нм. По сравнению с 10-нанометровыми чипами ожидается 50-процентный выигрыш не только в производительности, но и в энергопотреблении. Это значит, что нынешние прогрессивные 14-нанометровые чипы будут казаться рядом с 7-нанометровым устаревшими, медленными и горячими “динозаврами”.

Источник: IBM