Компания Samsung объявила о начале производства чипов по 7-нанометровому техпроцессу 7LPP (Low Power Plus). Технология, основанная на использовании литографии в жестком ультрафиолете (EUV), позволит выпускать полупроводники, которые занимают 40% меньше места, и при этом могут быть производительнее на 20% или энергоэффективнее на 50%, чем 10-нм процессоры FinFET.
В результате смартфоны и другая электроника, в которую будут устанавливаться такие чипы, сможет работать быстрее, дольше держать зарядку и обладать меньшими физическими размерами. В Samsung заявили, что смогли преодолеть главные сложности, связанные с серийным выпуском кремния с EUV-литографией, в том числе нашли достаточно мощный источник излучения.
Новая технология подразумевает использование очень тонкого ультрафиолетового лазера для производства чипа — там задействуется источник излучения с длиной волны 13,5 нм. Для выпуска 14-нм "камней", для сравнения, прибегают к 193-нм литографическим инструментам (используется ArF — лазер на основе фторида аргона). Как итог, 7LPP позволяет создать слой кремниевой пластины из одной маски, тогда как более распространенному ArF-процессу их может понадобиться четыре.
Чипы, произведенные по 7-нм технологии 7LPP, смогут применяться где угодно — в оборудовании для 5G-сетей, дата-центрах, системах искусственного интеллекта и приборах Интернета вещей, сказали в Samsung, Полагают, что в дальнейшем EUV-литография сыграет важнейшую роль в создании 5-нм и даже 3-нм процессоров, что приведет к еще большей миниатюризации электроники.
