Компания IBM в сотрудничестве с инженерами Samsung и GlobalFoundries (выпускает чипы для Qualcomm и AMD) освоила технологию производства мобильных процессоров с транзисторами величиной 5 нанометров. На одном крошечном кристалле размером с человеческий ноготь уместилось свыше 30 миллиардов транзисторов.
Структура 5-нм чипов
Новые чипы IBM обладают не только рекордной плотностью транзисторов, но и производительностью. Для сравнения, 4-ядерный чип A10 Fusion, устанавливаемый в iPhone 7, обладает 3,3 миллиарда транзисторов, а 18-ядерный серверный процессор Intel Xeon — около 5,5 миллиарда.
Топология 5 нм задействует GAAFET-транзисторы, когда затворный материал оборачивается вокруг трех горизонтальных кремниевых "нанолистов". В этом заключается ключевое отличие от объемных FinFET-транзистров (с вертикальным "плавником"), повсеместно применяемых в самых современных процессорах. В теории, FinFET-транзисторы также могут быть уменьшены, но максимум до 5 нм, то время как GAAFET — до 3 нм.
5-нм чипы, говорят в IBM, на 40% производительнее современных 10-нм аналогов, причем энергии они потребляют столько же. По словам инженеров, новая разработка позволит аккумулятору смартфона работать "в два–три раза" дольше. Впрочем, вряд ли это будет реализовано на практике, так как производители, как правило, предпочитают делать акцент на скорость работы устройства, а не бережливость энергии.
Два года назад IBM представила 7-нм процессоры, вмещающие 20 миллиардов транзисторов. Как ожидается, первой на норму изготовления 7-нм чипов перейдет Samsung в следующем году. А коммерческих продуктов с 5-нм процессорами вряд ли следует ожидать раньше, чем через 2–3 года.
Источник: Engadget
